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IQE013N04LM6CG

IQE013N04LM6CG产品信息:

采用 PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate(源极底置门极中置)封装的 40V OptiMOS 低压功率 MOSFET,拥有业界领先的 R(DS(on))

IQE013N04LM6,这款 1.35mOhm 的 40V OptiMOS 功率 MOSFET 扩展了 的创新型 Source-Down 产品系列,采用 3.3x3.3 PQFN 封装。该功率 MOSFET 是同类中的佼佼者,突破业界目前的功率密度和形状因数,优化了终端用户的体验。

电动工具的设计目标之一便是有效减少 PCB 区域的内部限制,从而实现人体工程学设计并优化用户体验。将逆变器从手柄移到头部,可大幅度减少 电动工具 电机外壳的体积, 同时将工具的扭矩保持在较高水平,以便快速、轻松地进行操作。

特征描述

  • R(DS(on)) 大幅降低 25%
  • 二极管的结壳热阻(R(thJC))展现出色的热性能
  • 可实现布局优化
  • 标准和门极中置封装

优势

  • 高电流能力
  • 更有效地利用 PCB 区域
  • 高功率密度和高性能
  • 优化了与门极中置版本并联的 MOSFET 封装

潜在应用

  • 驱动器
  • 开关式电源
    • 服务器
    • 通信
    • OR-ing

IQE013N04LM6CG数据手册:

IQE013N04LM6CG引脚功能、电路图:

相关型号:

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