200 V 高边和低边栅极驱动器 IC
0
200 V 高边和低边栅极驱动器 IC
200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流，采用 8 引脚 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 PDIP 封装可选。
特征描述
潜在应用
该设计采用额定电压为200V的IR2011S高速门驱动IC驱动一对IRFB23N15D HEXFET MOSFET，为每个通道提供放大的音频脉宽调制(PWM)波形。
international rectifier(简称ir)推出iraudamp1 d类音频放大器参考设计，当中的额定200v ir2011s高速栅驱动器集成电路，能针对功率级的每个声道驱动一对irfb23n15d
电源管理技术领先供应商(IR)推出IRAUDAMP1 D类音频放大器参考设计，当中的额定200V IR2011S高速栅驱动器集成电路，能针对功率级的每个声道驱动一对IRFB23N15D HEXFET MOSFET
