600v高侧和低侧栅极驱动IC
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600v高侧和低侧栅极驱动IC
用于igbt和mosfet的典型0.21 A源和0.36 A汇聚电流的600 V高侧和低侧驱动IC。也可在8铅SOIC。
特征描述
潜在应用
【用 途】 【性能 参数】【互换 兼容】
采用两片IR2101和TL494设计的全桥开关电源驱动模块。电路结构简洁功能强大，下面电路可以直接1KW-1.5KW开关电源。IRFP460MOS/20A开关电源驱动模块电路IR2101的IO输出电流0.6A，可以直接驱动20A的IRFP460MOS大功率管子。
采用用两片IR2101和TL494设计的全桥开关电源驱动模块。电路结构简洁功能强大，下面电路可以直接1KW-1.5KW开关电源。IRFP460MOS/20A开关电源驱动模块电路 IR2101的IO输出电流0.6A，可以直接驱动20A的IRFP460MOS大功率管子。
MSP430产生的PWM波，经过光耦及后面的IR2101芯片，在芯片的5管脚输出的PWM波接到MOSFET 的门极G端，使其工
MSP430产生的PWM波，经过光耦及后面的IR2101芯片，在芯片的5管脚输出的PWM波接到
