600 V高边和低边栅极驱动器IC, 具有关断功能
600 V高边和低边栅极驱动器IC, 具有关断功能
600 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 0.25 A 拉电流和 0.5 A 灌电流,采用 14 引脚 PDIP 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 16 引脚 SOICWB 封装可选。
特征描述
潜在应用
【用 途】 推挽式驱动器【性能 参数】IR2112(S)是高电压、高放大率MOSFET(MOS场效应管)和带独立的推挽放大器,为自举工作方式,门驱动器供电范围从10V到20V。
经查,电源部分全桥驱动的两块集成电路IR2112损坏,电源振荡电路MB3759P也损坏。全桥功放电路中4只场效应管击穿2只,同时损坏的还有部分电阻、稳压二极管等。 主电源工作原理:振荡电路采用MB3759P.推动电路采用2块IR2112。输出电路为全桥或半桥
IR2130是一款适于MOSFET和IGBT功率器件的高压、高速逻辑驱动控制芯片,IR2130驱动芯片有28脚和44脚两种封装形式,其内部结构图如下图所示。它有六路输入信号(HIN1,HIN2,HIN3和LIN1,LIN2,LIN 3):三路带有浮动地的输出端(H01,H02,H03),用于驱动桥式逆变电路中的上桥臂功率器件;三路共地的输出端(L01,L02,L03),用于驱动桥式逆变电路中的下桥
主要包括脉宽调制电路IC601(MC33025P)、半桥驱动电路IC602(IR2112)和由Q605、Q606两只大功率MOS开关管组成的半桥变换输出电路。
TCLRPT4302背投彩电,采用两个独立的主、副电源,主开关电源采用并联式脉冲宽度调制方式,由两片IR2112厚膜电路和4个场效应管组成桥式驱动电路,开/关机控制电路采用控制主电源供电和启动电路的方式