600 V 单个高边栅极驱动器IC，具有单端输入
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600 V 单个高边栅极驱动器IC，具有单端输入
600 V 高边驱动器 IC,具有典型的 0.25 A 拉电流和 0.5 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。
特征描述
【用 途】 单个MOSFET或IGBT的栅极驱动器【性能 参数】 它采用高压集成电路技术和无闩锁CMOS技术，并采用双直插式封装，可用于工作母线电压高达600V的系统中。其输入与标准的CMOS电平兼容，输出驱动特性可满足交叉导通时间最短的大电流驱动输出级的设计要求。其悬浮通道与自举技术的应用使其可
IR2117的典型应用电路图3给出了IR2117的典型应用电路,图中的二极管可选用MUR1100。
IR2117用于斩波器的应用电路IR2117的结构及特点决定了它可用来驱动一个高端或低端MOSFET或IGBT,图4给出了应用IR2117驱动MOSFET而设计的斩波器的系统原理图,图中PWM的脉冲形成由专用集成电路TL494来获得,VB应用自举技术获得,图4(a)与图4(b)分别给出了IR2117用来驱动高端和低端MOSFET的主电路原理图。
【用 途】 【性能 参数】【互换 兼容】
型号：IR2117关键字：栅极，悬浮， 自举， 欠压， IR2117简介：:IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。
IR2117的结构及特点决定了它可用来驱动一个高端或低端MOSFET或IGBT,图4给出了应用IR2117驱动MOSFET而设计的斩波器的系统原理图，图中PWM的脉冲形成由专用集成电路TL494来获得，VB应用自举技术获得，图4（a）与图4（b）分别给出了IR2117用来驱动高端和低端MOSFET的主电路原理图。
IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器,它采用高压集成电路技术和无闩锁CMOS技术,并采用双直插式封装,可用于工作母线电压高达600V的系统中。1引脚排列及功能IR2117采用标准的双列直插式DI
IR2117用于斩波器的MOSFET驱动电路图 IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器,它采用高压集成电路技术和无闩锁CMOS技术,并采用双直插式封装,可用于工作母线电压高达
IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器,它采用高压集成电路技术和无闩锁CMOS技术,并采用双直插式封装,可用于工作母线电压高达600V的系统中。
