600 V 三相栅极驱动器 IC,具有过电流保护,启用和故障报告
600 V 三相栅极驱动器 IC,具有过电流保护,启用和故障报告
600 V三相半桥栅极驱动器 IC适用于IGBT和MOSFET,拉灌电流典型值分别为 0.2 A 和 0.35 A,具有 11.1 V/10.9 V UVLO、400 ns/380 ns 传播延迟和 0.46 V(ITRIP) 正向阈值 ( V (ITRIP)),采用 PLCC-44 封装和结隔离电平转换技术。高达 -100 V 改进负瞬态电压稳健性、集成自举二极管 (BSD) 并且电平位移损耗降低 50%,请了解 SOI 600 V 三相栅极驱动器 6EDL04I06PT 、 6EDL04I06NT 和 6EDL04N06PT 。 或者 6EDL04N02PR ,该型号为 200 V 3 相栅极驱动器,采用 TSSOP-28 封装。
特征描述
潜在应用
了解包括的型号