用于IGBT和MOSFET的600 V三相栅极驱动器IC， 具有典型的0.2 A拉电流和0.35 A灌电流，10.4 V / 9.4 V UVLO，500 ns / 530 ns传播延迟，以及0.46 V (ITRIP)正向阈值（ V (ITRIP) ），采用SOIC -28宽体封装以及结绝缘电平转换技术。如欲了解高达-100 V的负瞬态电压稳定性，集成自举二极管（BSD）和50％的低电平移位损耗，请查看我们的 SOI 600 V三相栅极驱动器6EDL04I06PT，6EDL04I06NT，6EDL04N06PT。 或6EDL04N02PR，这是一款200 V，三相栅极驱动器，采用TSSOP-28封装。

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