600 V三相栅极驱动器 IC，用于IGBT和MOSFET，具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流，采用 SOIC-28 宽引 封装和电平转换技术。高达 -100 V 改进负瞬态电压稳健性并且电平位移损耗降低 50%，请了解 SOI 600 V 三相栅极驱动器 6EDL04I06PT 、 6EDL04I06NT 和 6EDL04N06PT 。 或者 6EDL04N02PR ，该型号为 200 V 3 相栅极驱动器，采用 TSSOP-28 封装。

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