600 V half-bridge gate driver IC with shoot through protection
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600 V half-bridge gate driver IC with shoot through protection
600 V 半桥驱动器 IC,具有典型的 0.29 A 拉电流和 0.6 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。
特征描述
潜在应用
【用 途】 半桥驱动电路 【性能 参数】双列直插8脚封装，高端浮偏工作电压625V，逻辑输入部分工作电压10-20V。
IR2304的工作原理，IR2304的典型接线如图2所示，图中vcc为10～25v功率管门极驱动电源，可用ttＬ或cＭos逻辑信号作为输入，因此vcc可用一个典型值为＋15v的电源。c2为自举电容，当vt1关断 IR2304的典型接线如图2所示，图中vcc为10～25v功率管门极驱动电源，可用ttＬ或cＭos逻辑信号作为输入，因此vcc可用一个典型值为
摘要：IR2304是美国IR公司生产的新一代半桥驱动集成芯片，该芯片内部集成了互相独立的控制驱动输出电路，可直接驱动两个中功率半导体器件如MOSFET或IGBT，动态响应快，驱动能力强，工作频率高，且具有多种保护功能文中介绍了IR2304的功能特点、工作原理和典型应用电路。 关键词：半桥驱动集成电路；IR2304；三相桥式逆变器&
DC／DC主电路采用高速双路PWM芯片UC3825控制的半桥变换器，并且采用了动态响应快，驱动能力强，工作频率高的IR2304作为MOSFET的驱动芯片。关键词：半桥变换器；UC3825；功率因数校正；IR2304；多路；独立0引言随着电力电子技术的发展，电源技术被广泛应用于各个行业。对电源的要求
ＩＲ２３０４的典型接线如图２所示，图中ＶＣＣ为１０～２５Ｖ功率管门极驱动电源，可用ＴＴＬ或ＣＭＯＳ逻辑信号作为输入，因此ＶＣＣ可用一个典型值为＋１５Ｖ的电源。Ｃ２为自举电容，当ＶＴ１关断、ＶＴ２开通时，ＶＣＣ经ＶＤ、Ｃ２、负载、ＶＴ２给Ｃ２充电，以确保ＶＴ２关断、ＶＴ１开通时，ＶＴ１管的栅极靠Ｃ２上足够的储能来驱动，从而实现自举式驱动。若负载阻抗较大，Ｃ２经负载降压充电较慢，使得当ＶＴ２关断、ＶＴ
由ＩＲ２３０４组成的三相桥式逆变器的硬件结构如图３所示。对于由六个功率元件构成的三相桥式逆变器来说，采用三片ＩＲ２３０４驱动三个桥臂是中小型功率变换的理想选择。 该逆变电路中的主电路可将直流电压（＋ＤＣ）逆变为三相交流输出电压Ｕ、Ｖ、Ｗ。该直流电压（＋ＤＣ）来自三相桥式整流电路，逆变电路功率元件应选用耐压为１０００Ｖ的ＩＧＢＴ元件。 逆变器中的驱动电路使用的就是１０００Ｖ的ＩＲ２３０４。由于三相逆
