60 v单个N通道功率MOSFET,采用- 220 ab封装
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60 v单个N通道功率MOSFET,采用- 220 ab封装
功率MOSFET的IR MOSFET 家族利用经过验证的硅工艺，为设计师提供广泛的设备组合，以支持各种应用，如直流电机，逆变器，SMPS，照明，负载开关以及电池供电的应用。该器件有多种表面安装和通孔封装，具有工业标准的足迹，便于设计。
特征描述
优势
【用 途】 【性能 参数】【互换 兼容】
【用 途】 通用型场效应管 【性能 参数】N沟 55V 100A 175W 0.08Ω 【互换 兼容】IRF1010E
【用 途】 双栅场效应管【性能 参数】N沟 55V 110A 200W 8.0mΩ TO-220AB其内部结构如下:【互换 兼容】IRF1010E
3843频率是172KHZ左右，MOSFET是IRF1010E，电感是11uH左右上边绕的是15uH，线径1.2mm环型铁芯 输出电流 ：输入电流 X 转换效率(X%) X 乘以总工作周期 - 10~20%
