40 v单个N通道功率MOSFET,采用- 262封装
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40 v单个N通道功率MOSFET,采用- 262封装
StrongIRFET 功率MOSFET系列为低RDS(on)和高电流能力进行了优化。该设备是需要性能和坚固性的低频应用的理想选择。全面的投资组合解决了广泛的应用，包括直流电机，电池管理系统，逆变器，和DC-DC转换器。
特征描述
优势
【用 途】 双栅场效应管【性能 参数】N沟 40V 75A200W 2.5mΩ TO-262 其内部结构如下：【互换 兼容】
