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IRF3546M
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IRF3546M产品信息:
60A双集成电源模块。两对高性能控制和同步 MOSFET。25V 四路 N 通道 HEXFET Power MOSFET
优势
峰值效率在 1.2V 下高达 94%
两对控制和同步 MOSFET,采用单一 PQFN 封装。
专有封装大程度地降低了封装的寄生效应,简化了PCB布局
输入电压 (VIN) 范围:4.5V 到21V
输出电流能力为 30A/相
超低 Rg MOSFET 技术可最大限度地降低开关损耗,从而优化高频性能
具有单片集成肖特基二极管的同步 MOSFET 可减少死区时间和二极管反向恢复损耗
有效双面冷却
小型 6mm x 8 mm x 0.9mm PQFN 封装
无铅,符合 RoHS 封装
FastIRFET
潜在应用
台式机和工作站
图形板
多相 PowIRstage
服务器和存储
IRF3546M数据手册:
Data Sheet - IRF3546M
相关型号:
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IW416HN
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