30 v单个N通道功率MOSFET,采用DirectFET封装,额定电流为52。
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30 v单个N通道功率MOSFET,采用DirectFET封装,额定电流为52。
StrongIRFET 功率MOSFET系列为低RDS(on)和高电流能力进行了优化。该设备是需要性能和坚固性的低频应用的理想选择。全面的投资组合解决了广泛的应用，包括直流电机，电池管理系统，逆变器，和DC-DC转换器。
特征描述
优势
新的IC能够与IR现有的IR3086A相位IC和IRF6617、IRF6691等DirectFET功率MOSFET配合使用，在130A的应用中实现7相位，可比5相位的设计提高3%的工作效率。
其中一款芯片组包含IRF6617控制
