30 v N沟道电力MOSFET在DirectFET太封装中具有20 v栅极电压,额定电流为150 A。
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30 v N沟道电力MOSFET在DirectFET太封装中具有20 v栅极电压,额定电流为150 A。
StrongIRFET 功率MOSFET系列为低RDS(on)和高电流能力进行了优化。该设备是需要性能和坚固性的低频应用的理想选择。全面的投资组合解决了广泛的应用，包括直流电机，电池管理系统，逆变器，和DC-DC转换器。
特征描述
优势
美国International Rectifier Corp.开始发货DC-DC转换器的功率场效应晶体管（Power MOSFET）“IRF6608”和“IRF6618”的工业样品。
最新irf6608控制mosfet的典型通态电阻 (rds(on)) 为8.5毫欧，irf6618同步mosfet的典型通态电阻则为1.7毫欧，两者均采用ir的directfet封装。
最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻(RDS(on))为8.5mΩ，IRF6618同步MOSFET的典型通态电阻则为1.7mΩ，两者均采用IR的DirectFET封装。
