20 v单个N通道功率MOSFET,采用DirectFET圣封装,额定电流为55。
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20 v单个N通道功率MOSFET,采用DirectFET圣封装,额定电流为55。
StrongIRFET 功率MOSFET系列为低RDS(on)和高电流能力进行了优化。该设备是需要性能和坚固性的低频应用的理想选择。全面的投资组合解决了广泛的应用，包括直流电机，电池管理系统，逆变器，和DC-DC转换器。
特征描述
优势
IRF6623具备增强的控制MOSFET性能，器件导通电阻(RDS(on))及栅电荷(Qg)的乘积減少30%。体积仅为市场上同类高性能20V控制MOSFET一半。
