100V单n通道强irfet 功率MOSFET在DirectFET SJ封装
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100V单n通道强irfet 功率MOSFET在DirectFET SJ封装
StrongIRFET 功率MOSFET系列为低R(DS(on))和高电流能力进行了优化。该设备是需要性能和坚固性的低频应用的理想选择。全面的投资组合解决了广泛的应用，包括直流电机，电池管理系统，逆变器，和DC-DC转换器。
特征描述
优势
潜在应用
这款全新的小型参考设计采用IRS20124S高压模拟IC及IRF6645 DirectFET 功率MOSFET，可实现无散热器的120W 六通道半桥D类
IR推出IRAUDAMP3 D类音频参考设计，这款全新的小型参考设计采用IRS20124S高压模拟IC及IRF6645 DirectFET 功率MOSFET，可实现无散热器的120W 六通道半桥D类音频功率放大器
与ir的200v数字音频驱动ic irs20955和irf6645 directfet数字音频mosfet配合使用的iraudamp4参考设计，是一种2通道、120w 半桥设计，在120
这款全新的小型参考设计采用IRS20124S高压模拟IC及IRF6645 DirectFET ®功率MOSFET，可实现无散热器的120W 六通道半桥D类音频功率放大器。
例如，在100W的应用中，IRS2092 IC和IRF6645 Dire
例如，在100W的应用中，IRS2092 IC和IRF6645 Dire
例如，在100W的应用中，IRS2092 IC和IRF6645 Direct
与IR的200伏数字音频驱动IC IRS20955，和IRF6645 DirectFET数字音频MOSFET配合使用的IRAUDAMP4参考设计，属于2信道、120瓦特半桥设计，在120瓦特、4欧姆下达到
