25V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET S1 封装,在低导通电阻下进行了优化, 额定电流为12 A。
优势
潜在应用
新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF67
新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M器件的特点包括:非常低的导通电阻 (RDS(on))、栅极电