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IRF6710S2

IRF6710S2产品信息:

25V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET S1 封装,在低导通电阻下进行了优化, 额定电流为12 A。

优势

  • 符合 RoHS
  • 100% 经过接地电阻测试
  • 纤薄外形(小于0.7毫米)
  • 双面冷却
  • 针对控制FET应用进行了优化
  • 针对高频开关进行了优化
  • 低封装电感

潜在应用

  • 多相 ControlFET

IRF6710S2数据手册:

IRF6710S2引脚功能、电路图:

IR推出DC-DC应用优化的25V DirectFET芯片组

新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF67

25V DirectFET MOSFET芯片组(IR

新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M器件的特点包括:非常低的导通电阻 (RDS(on))、栅极电

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