30 v单个N通道HEXFET功率MOSFET,采用DirectFET MX封装,在低导通电阻下进行了优化,额定电流为28。
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30 v单个N通道HEXFET功率MOSFET,采用DirectFET MX封装,在低导通电阻下进行了优化,额定电流为28。
优势
IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M，以及IRF6727M具有极低的RDS(on) 特性，非常适合高电流同步MOSFET。这些新器件与上一代器件采用通用的MT和MX占位面积，所以
IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M，以及IRF6727M具有极低的RDS(on)特性，非常适合高电流同步MOSFET。
