优势
30 v单个N通道HEXFET功率MOSFET,采用所以8封装
【用 途】 逻辑场效应管 【性能 参数】N沟 30V 7A 2.5W 【互换 兼容】
为保证N沟道MOSFET(IRF7201)导通,充电器输入电压与输出电压之差(VIN-VBAT)至少应为2.2V。 充电
为保证N沟道MOSFET(IRF7201)导通,充电器输入电压与输出电压之差(VIN-VBAT)至少应为2.2V。