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IRF8306M
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IRF8306M产品信息:
30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET 和肖特基二极管, 采用 DirectFET MX封装,在低导通电阻下进行了优化,额定电流为23 A。
优势
符合 RoHS
纤薄外形(小于0.7毫米)
双面冷却
低通态损耗
针对高频开关进行了优化
低封装电感
集成单片肖特基二极管
潜在应用
电池保护
隔离式初级侧 MOSFET
隔离式次级侧SyncRec MOSFET
负载开关高边
负载开关低边
IRF8306M数据手册:
Data Sheet - IRF8306M
IRF8306M引脚功能、电路图:
相关型号:
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