-55 v单个N通道红外MOSFET,采用D2-Pak封装
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-55 v单个N通道红外MOSFET,采用D2-Pak封装
功率MOSFET的IR MOSFET家族采用了经过验证的硅工艺，为设计师提供了广泛的设备组合，以支持各种应用，如直流电机，逆变器，SMPS，照明，负载开关以及电池供电的应用。该器件有多种表面安装和通孔封装，具有工业标准的足迹，便于设计。
特征描述
优势
【用 途】 双栅场效应管 【性能 参数】P沟 55V 12A 3.8W RDS(on)=0.175Ω【互换 兼容】
