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IRFB23N15D

IRFB23N15D产品信息:

150V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装

优势

  • 符合 RoHS
  • 具有业内先进的品质
  • 经过充分验证的雪崩电压和电流
  • 低栅漏电荷,可降低开关损耗
  • 经过充分验证的的电容,包括有效的Coss以简化设计

IRFB23N15D数据手册:

IRFB23N15D引脚功能、电路图:

IR推出D类音频数字放大器参考设计

该设计采用额定电压为200V的IR2011S高速门驱动IC驱动一对IRFB23N15D HEXFET MOSFET,为每个通道提供放大的音频脉宽调制(PWM)波形。  

IR推出D类音频放大器参考设计

international rectifier(简称ir)推出iraudamp1 d类音频放大器参考设计,当中的额定200v ir2011s高速栅驱动器集成电路,能针对功率级的每个声道驱动一对irfb23n15d

IR推出峰值500W + 500W立体声输出D类音频放大器参考设计_模拟技术

电源管理技术领先供应商(IR)推出IRAUDAMP1 D类音频放大器参考设计,当中的额定200V IR2011S高速栅驱动器集成电路,能针对功率级的每个声道驱动一对IRFB23N15D HEXFET MOSFET

相关型号:

IW416UK IW416HN IHVA150-A3D48V-BF IHV200HDANA IHV200A1ANA
IHVA150-A3D12V-BF IHVA200-A3D12V-BF IHVA150-H3D12V-BF IHVA200-H3D12V-BF IHV350HANFA
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IHV50A5ANH IHV100A6ANG IHV50A6ANG IHV50A4ANG IHV250HAANA
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