150V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装
150V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装
优势
该设计采用额定电压为200V的IR2011S高速门驱动IC驱动一对IRFB23N15D HEXFET MOSFET,为每个通道提供放大的音频脉宽调制(PWM)波形。
international rectifier(简称ir)推出iraudamp1 d类音频放大器参考设计,当中的额定200v ir2011s高速栅驱动器集成电路,能针对功率级的每个声道驱动一对irfb23n15d
电源管理技术领先供应商(IR)推出IRAUDAMP1 D类音频放大器参考设计,当中的额定200V IR2011S高速栅驱动器集成电路,能针对功率级的每个声道驱动一对IRFB23N15D HEXFET MOSFET