75 v单个N通道HEXFET功率MOSFET,采用- 220 ab封装
75 v单个N通道HEXFET功率MOSFET,采用- 220 ab封装
优势
此系列MOSFET具有很低的导通电阻(IRFB4310为7mΩ,IRFB3207为4.5mΩ),适用于多种不同AC/DC拓扑结构(包括回扫、半桥、全桥和正向转换器)的辅面(secondary side)
这款新推出的 mosfet具有极低的导通电阻(例如,100v产品irfb4310的导通电阻为7毫欧,75v产品irfb3207的导通电阻为4.5毫欧),对便携式 / lcd 适配器和服务器ac-dc s
这批新器件具备业界超低导通电阻(例如,IRFB4310的 RDS(on) 为7mΩ;IRFB3207 的 RDS (on) 为 4.5mΩ),能够极大优化笔记本电脑、LCD适配器和服务器等