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IRFH7190
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IRFH7190产品信息:
100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用PQFN 5 x 6 B/E 封装
优势
低 RDS(ON) (低于 7.5mOhms),导致更低的通态损耗
内部缓冲器,降低了Vds 尖峰,改善了EMI
对 PCB 的热阻低(低于1.2°C/W),导致功率密度增加
100% 经过接地电阻测试,增强可靠性
纤薄外形(小于1.05 毫米),导致功率密度增加
符合行业标准的引脚,兼容多个供应商
与现有表面封装技术兼容,更容易制造
符合 RoHS , 无卤素,更加环保
MSL 1 增强可靠性
FastIRFET
IRFH7190数据手册:
Data Sheet - IRFH7190
IRFH7190引脚功能、电路图:
相关型号:
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