200 V 半桥驱动器 IC
200 V 半桥驱动器 IC
具有关断,VCC和VBS UVLO的200 V半桥栅极驱动器IC,可确保可靠的启动操作
200 V 半桥驱动器 IC,具有关断输入,典型的 0.29 A 拉电流和 0.6 A 灌电流,采用 8 引脚 SOIC 封装,适用 MOSFET .。可选 MLPQ 4 x 4 14L 封装: IRS2008M .
IRS2008是一款 200 V电平移位结隔离MOSFET 驱动器, 具有相依的高边和低边参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术可实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现极小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N通道功率MOSFET,工作电压高达200 V。播延迟与之匹配,简化了HVIC在高频应用中的使用。
特征描述
优势
IRS2005S/M:200 V 高边和低边栅极驱动器 IC,具有680/150 ns传播延迟。替代 IRS2001S.
IRS2007S/M:200 V 半桥栅极驱动器 IC,具有160/150 ns传播延迟。替代 IRS2003S.
IRS2008S/M:200 V 半桥栅极驱动器 Ic,具有关断输入和160/150 ns传播延迟。替代 IRS2004S.
步进电机评估板可用: EVAL-PS-IRS200X