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IRS23365DM

IRS23365DM产品信息：

600 V three-phase gate driver IC with over current protection, enable, fault reporting and integrated bootstrap FET

600 V 三相驱动器 IC,具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流，采用 MLPQ 7X7 34L 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。

特征描述

  • 最多可驱动 6 个 IGBT/MOSFET 功率器件
  • 栅极驱动每个通道可提供高达 20 V 的电压
  • 集成自举功能
  • 过电流保护
  • 过温关断
  • 先进输入滤波器
  • 集成死区时间保护
  • 击穿（跨导）保护
  • 用于 VCC， VBS 的欠压锁定
  • 启用/禁用输入和故障报告
  • 可调节故障清除定时
  • 独立的逻辑和电源接地
  • 3.3 V 输入逻辑兼容
  • 容许负瞬态电压高
  • 设计用于自举电源
  • 全通道匹配传播延迟
  • 工作温度范围：-40C 至125C

潜在应用

  • 家用电器
    • 冰箱
  • 多轴飞行器
  • Forklifts

IRS23365DM数据手册：

IRS23365DM引脚功能、电路图：

相关型号：

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