凭借先进的 40V OptiMOS(TM )6 正常电平功率MOSFET， 为电池供电应用、电池供电工具、电池管理和低压驱动等所需的正常电平(较高阈值电压)应用提供了标杆解决方案。正常电平的产品组合具有较高的 V(th)，这意味着只有较大的栅极电压尖峰才会导致不必要的导通。

此外，较低的 Q(GD)/Q(GS ) 比（C(GD)/C(GS) 分压比）可降低栅极电压尖峰，从而进一步增强了抗意外导通的鲁棒性。ISC007N04NM6 具有非常低的 R(DS(on)) ，仅为 0.7mOhm。

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