华强商城 被动器件(电容/电阻/电感) BOM配单 原厂专区 PCB制板 积分兑换
0
首页>IC索引

M34E02-F

DRAM模块的2 Kbit I2C总线串行EEPROM和SPD(DDR2/DDR3)

M34E02-F产品信息:

描述

M34E02-F是一个2kbit I (2) 256 × 8位结构的c兼容EEPROM(电可擦可编程存储器)。M34E02-F可接入电源电压从1.7 V到5.5 V,时钟频率为400 kHz(或更少),环境温度范围为-40°C / +85°C。
  • 所有功能

    • 2-Kbit EEPROM用于DDR1, DDR2和DDR3串行存在检测
    • 向后兼容M34C02
    • 低于128字节的永久和可逆软件数据保护
    • 100khz和400khz的I(2)C总线串行接口
    • 单电源电压:
      • 1.7 V到5.5 V
    • 字节和页写入(最多16字节)
    • 山顶的写周期
    • 噪声过滤
      • 施密特触发器总线输入
      • 总线输入上的噪声滤波器
    • 增强ESD /封闭保护
    • 超过100万个擦除/写周期
    • 超过40年的数据保存
    • ECOPACK (通过无铅认证)包
    • 包:
      • ECOPACK2 (通过无铅认证和无卤)

M34E02-F数据手册:

F

代 表 公 司 Fairchild 美国仙童公司 元件种类或用途集成电路 典 型 型 号 公 司 简 介

2CC13A-F

【用 途】 变容/电压调整管 【性能 参数】硅 Cj=30-11pF Cj1/Cj2=2-3 Q=250-300 【互换 兼容】

3DG3A-F

【用 途】 高频小功率管 【性能 参数】硅 NPN 100V 200mW 10MHz β>25 【互换 兼容】

ME8N06E-F

【用 途】 MOS场效应开关/功率放大管 【性能 参数】N沟 60V 8A Ron=0.15Ω 【互换 兼容】

ME6N10-F

【用 途】 MOS场效应开关/功率放大管 【性能 参数】N沟 100V 6A Ron=0.25Ω 【互换 兼容】

ME4P06-F

【用 途】 MOS场效应开关/功率放大管 【性能 参数】P沟 60V 4A Ron=0.6Ω 【互换 兼容】

ME15N06E-F

【用 途】 MOS场效应开关/功率放大管 【性能 参数】N沟 60V 15A Ron=0.15Ω 【互换 兼容】

2SK33-F

【用 途】 场效应调频/甚高频管 【性能 参数】N沟 20V 10-20mA 0.15W 【互换 兼容】

UPD6307G-F

【用 途】 【性能 参数】【互换 兼容】

STPR1510D-F

【用 途】 【性能 参数】【互换 兼容】

相关型号:

MT-Z MT-N MR80QZ12N MR80QZ09N MA10XA10
MA10EB045 MA10EA06 MC05EA06 MC05EA03 MC03HA15
MC03HD10 MC03EA06 MC03EA045 MC03EA03 ME03HD10
ME03EA06 ME03EA045 ME03EA03 ME01HD10 ME01EA06
按首字母检索