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M34E04B

与JEDEC EE1004兼容的4-Kbit串行存在检测(SPD)EEPROM

M34E04B产品信息:

描述

M34E04B是一个512字节的EEPROM器件,设计用于在1.7 V - 3.6 V电压范围内操作SMBus总线,在2.2 V - 3.6 V电压范围内最大1mhz传输速率,超过JEDEC定义的0°C / 95°C环境温度。M34E04B包括一个4-Kbit串行EEPROM,组织为每个256字节的两个页面,或总内存512字节。每个页面由两个128字节的块组成。该设备能够有选择地将数据锁定在四个128字节块中的任何一个或全部。专门设计用于DRAM内存(双内联内存模块)与串行存在检测,有关DRAM模块配置的所有信息(如其访问速度,其大小,其组织)可以保持写保护在一个或多个内存块。
M34E04B设备与上一代2kbit设备M34E02协议兼容。页面选择方法允许将用于旧设备(如M34E02)的命令应用于EEPROM的下方或上方页面。
可以使用软件写保护机制与输入SA0上的高输入电压VHV一起实现单独锁定128字节块。通过发送设备一个特定的SMBus序列,每个块可以从写保护,直到写保护使用一个单独的SMBus序列电反转,这也需要VHV输入SA0。4个块的写保护同时清除。
  • 所有功能

    • 512字节串行存在检测EEPROM兼容JEDEC EE1004规范
    • 兼容SMBus串行接口:
      • 高达1 MHz的传输速率
    • EEPROM作为数组:
      • 4kbits组织为两个页面,每个页面256字节
      • 每个页面由两个128字节的块组成
    • 无硬件写保护
    • 每个128字节块的软件数据保护
    • 写:
      • 字节写入5毫秒内
      • 16 bytes 5 ms内页写
    • 噪音过滤:
      • 施密特触发器总线输入
      • 总线输入上的噪声滤波器
    • 单电源电压:
      • 1.7 V ~ 3.6 V
    • 工作温度范围:
      • 从0°C到+95°C
    • 增强ESD /封闭保护
    • 超过400万个写周期
    • 超过200年的数据保存
    • 符合rohs和无卤素8铅超薄细间距双平面无铅封装(ECOPACK2 )

M34E04B数据手册:

相关型号:

MT-Z MT-N MR80QZ12N MR80QZ09N MA10XA10
MA10EB045 MA10EA06 MC05EA06 MC05EA03 MC03HA15
MC03HD10 MC03EA06 MC03EA045 MC03EA03 ME03HD10
ME03EA06 ME03EA045 ME03EA03 ME01HD10 ME01EA06
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