描述
MA ERGAN1是一款先进的系统级功率封装，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。 集成功率GaN具有150 毫欧的R
(DS（ON）)和650 V漏源击穿电压，而嵌入式栅极驱动器的高侧可由集成式自举二极管轻松提供。
MA ERGAN1在上下驱动部分均具有UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，并且互锁功能可避免交叉传导情况。
输入引脚的扩展范围可与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。
MA ERGAN1的工作温度范围为-40°C至125°C。
该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。
