描述
MA ERGAN4是一种先进的封装式功率系统，集成了一个栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式GaN功率晶体管。集成电源gan具有650 V漏源屏蔽电压和R
(DS(ON)) 225 毫欧，而嵌入式栅极驱动器的高侧可以很容易地由集成的引导rap二极管提供。MA ERGAN4上下驱动部分均具有UVLO保护，防止电源开关在低效率或危险条件下工作，并具有联锁功能，避免交叉导电条件。
输入引脚的扩展范围允许与微控制器，DSP单元或霍尔效应传感器轻松接口。
MA ERGAN4在工业温度范围内工作，-40°C到125°C。
该设备可在一个紧凑的9x9毫米QFN包。
