8月13日，Z-RAM?高密度存储知识产权(IP)开发商Innovative Silicon Inc（ISi），与海力士(Hynix)半导体有限公司宣布：海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已

美国加州圣克拉拉市和韩国利川——2007年8月13日——Z-RAM®高密度存储知识产权(IP)开发商InnovativeSiliconInc（ISi），与海力士(Hynix)半导体有限公司（韩国证券期货交易所：HynixSemi）今日宣布：海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已

相对于LF( 120~ 135 kH z)波段和HF( 13. 56MH z) 波段， UHF波段的RFID技术能够在m 级距离上提供数百kb it/s的数据通信， 因而备受关注。

Zz-domain,Z域z-plane,Z平面z-transfer function,Z（变换）传递函数z-transform,Z变换zenith distance,天顶距zero,零点；零位zero

【用　途】 8mm录像机/放像放大电路 【性能 参数】四列扁平48脚封装。

【用　途】 低饱和压降音频/开关管 【性能 参数】硅 PNP 60V/60V 5A 10W β=100-400 【互换 兼容】

【用　途】 音频放大\开关及功率放大 【性能 参数】硅 PNP 60V 3A 10W 【互换 兼容】2SB1184 2SB1202

【用　途】 MOS场效应开关/功率放大管 【性能 参数】N沟 100V 1A 10W 12/15ns Ron=3Ω 【互换 兼容】

【用　途】 MOS场效应开关/功率放大管 【性能 参数】N沟 100V 5A 20W 50/140ns Ron=0.27Ω 【互换 兼容】

【用　途】 【性能 参数】【互换 兼容】