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MCK-1V-BR

安装说明书,热收缩,≤2kv,导体端盖,电机连接套件

MCK-1V-BR产品信息:

  • 接头和拼接件产品供货情况 :美洲
  • 安装说明 :英语
  • 接头和拼接件技术 :热收缩
  • 接头和拼接件电压等级 (kV):≤ 2
  • 接头和拼接件应用类型 :导线端盖
  • MCK-1V-BR数据手册:

    MCK-1V-BR引脚功能、电路图:

    BR

    【用 途】 一般型贴片管【性能 参数】硅 NPN 50V 0.15A 180MHz【互换 兼容】

    基于S7-400控制系统在污水处理上的应用(1

    [img]2006126843485047.gif[/img]<BR>[img]20061268431011680.gif[/img]<BR>[img]20061268431691672.gif[/img]<BR>[img]20061268432277554.gif[/img]

    1V

    【用 途】 直热式阴极二极管/半波整流【性能 参数】灯丝电压(Uf)=6.3V;灯丝电流(If)=0.3A.(应用数据)最大阳极交流电压(Uamax)=350V;平均整流电流(ICp)=50mA.【互换 兼容】

    MMBT6427(1V)

    【用 途】 达林顿晶体管 【性能 参数】硅 NPN 40V 0.5A 【互换 兼容】

    plc的(SAVE) 将RLO状态保存到BR指令 -解决方案-华强电子网

    符号:---(SAVE)说明:---(SAVE)(将RLO状态保存到BR)将RLO保存到状态字的BR位。未复位第一个校验位/FC。因此,BR位的状态将包含在下一程序段的AND逻辑运算中。指令“SAVE”(LAD、FBD、STL)适用下列规则,手册及在线帮助中提供的建议用法并不适用:建议用户不要在使用SAVE后在同一块或从属块中校验BR位,因为这期间执行的指令中有许多会对BR位进行修改。

    温度对BJT参数及特性的影响 -解决方案-华强电子网

    (3) 温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响温度升高时,V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。2.

    业余制作逆变器电路应用图

    br>CD4069BU78L052SC18152SJ7412SK2956

    三极管反向击穿电压为什么有V(BR)CBO≈V(BR)CES>V(BR)CER>V(BR)CEO的关系? -解

      (1)V(BR)CBO────e极开路,c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程序时,ICBO急剧增大,最后导致击穿。    (2)V(BR)CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。此时流经c-e极的是ICEO。当反向电压VCE增加到ICEO开始上升时的VCE就是V(BR)CEO。

    维修电工电气安全试题(带答案) -解决方案-华强电子网

    一、选择题(每题1分,共30分)1、在工作环境中见到以下标志,表示()A.注意安全  B.当心触电 C.当心感染<BR><BR>2、国际规定,电压()伏以下不必考虑防止电击的危险A.36伏B.65伏C.25伏<BR><BR>3、三线电缆中的红线代表()。A.零线B.火线C.地线4、停电检修时,在一经合闸即可送电到工作地点的开关或刀闸的操作把手上,应

    手机市场两种闪存技术竞争加剧

    <br><br>NORFLASH一直在手机中占有主导地位,目前大部分手机使用NORFLASH实现代码存储,同时采用SRAM或者PSRAM作为缓存或工作内存,而NANDFLASH厂商提倡把<br><br>NANDFLASH与NORFLASH相比,优点在于NANDFLASH的最大容量可以达到几个Gb

    相关型号:

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