华强商城 被动器件(电容/电阻/电感) BOM配单 原厂专区 PCB制板 积分兑换
0
首页>IC索引

MLP-50

线性锅,迷你,50mm范围

MLP-50产品信息:

  • 线性位移传感器 - 电位器包装 :Dia .37
  • 全冲程范围 :50 mm [ 2 in ]
  • 线性位移传感器 - 电位器电阻 (k欧姆):5
  • 线性 (% of Span):1
  • 线性位移传感器 - 电位器重量 (g):29
  • MLP-50数据手册:

    MLP-50引脚功能、电路图:

    M45PE80-VMP6G的技术参数

    产品型号:m45pe80-vmp6g位密度:8m结构:×8扇区(byte):65536页(byte):256接口:spi工作电压(v):2.7~3.6静态电流(ua):50时钟速率:25mhz页写/扇区擦除周期(ms):1.2/10擦写寿命(次):100000数据保存时间(年):20封装/温度(℃):mlp-8/-40~85价格/1片(套):¥19.98

    飞兆推出可将导通电阻降低50%的100V MOSFET

      飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101,具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封装的100V MOSFET器件,使用了飞兆半导

    新型100V MOSFET器件(飞兆

    飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101,具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封装的100V MOSFET器件,使用了飞兆半导体先

    人工智能–多层感知器基础知识解读

    MLP多层感知器是一种前向结构的ANN人工神经网络, 多层感知器(MLP)能够处理非线性可分离的问题。...

    飞兆半导体100V MOSFET FDMS86101

    飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101,具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封装的100V MOSFET器件,使用了飞兆半导体先

    Fairchild推出100V MOSFET器件FDMS86101

    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 为隔离式dc-dc应用设计人员提供一款新型100v mosfet器件fdms86101,具有低达50% 的rds(on) 和出色的品质因数fdms86101是采用5mm×6mm mlp power56 封装的100v mosfet器件,使用了飞兆半导体先进的

    BETA 变压器公司推出符合MIL-STD-1553技术规格的变压器MLP-3305

    beta 变压器公司推出单通道双变比变压器mlp-3305,mlp-3305为5v过孔安装,专为配置于mil-std-1553收发器而设计,尺寸为0.4” x 0.4”,最大高度0.185”。mlp-3305符合mil-std-1553和mil-prf-21038技术规格,可使电路板支持变压器耦合和直接耦合应用。此外,它可在-55度 至+130度的军用温度范围下工作。

    M45PE80-VMP6G货源 PDF 芯片资料 报价 | M45PE80-VM

    产品型号:M45PE80-VMP6G位密度:8M结构:×8扇区(BYTE):65536页(BYTE):256接口:SPI工作电压(V):2.7~3.6静态电流(uA):50时钟速率:25MHz页写/扇区擦除周期(ms):1.2/10擦写寿命(次):100000数据保存时间(年):20封装/温度(℃):MLP-8/-40~85价格/1片(套):¥19.98欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录

    MICROSEMI推出集成I/O匹配电路的微型WiFi功率放大器LX5516

    lx5516 采用12引线,2 毫米 x 2毫米mlp封装,集成有50欧姆输入和输出匹配电路,在2.4 ghz 至 2.5 ghz频率范围内支持ieee 802.11b/g/n wlan应用。

    飞兆发布超薄MicroFET产品FDMA1027,适合便携应用

    FDMA1027是20V P沟道PowerTrench MOSFET,FDFMA2P853则是20V P沟道PowerTrench MOSFET,带有肖特基二极管,并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP相比低电压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET,新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需

    相关型号:

    MT-Z MT-N MR80QZ12N MR80QZ09N MA10XA10
    MA10EB045 MA10EA06 MC05EA06 MC05EA03 MC03HA15
    MC03HD10 MC03EA06 MC03EA045 MC03EA03 ME03HD10
    ME03EA06 ME03EA045 ME03EA03 ME01HD10 ME01EA06
    按首字母检索