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InGaP HBT线性放大器，1800-2200 MHz, 27.2 dB, 30.5 dBm。
HVQFN12，塑料，热增强非常薄的四边形平板封装;没有领导;12终端;0.5毫米球场;3mm × 3mm × 0.85 mm机身。
飞思卡尔5月10日宣布推出4款基于InGaP异质结双极晶体管（HBTs）和GaAs异质结场效应晶体管（HFETs）的单片微波集成电路（MMIC），分别是MML09211H低噪声放大器、MMA20312B
