diode公司推出击穿电压为400v的四开关二极管阵列mmbd5004brm，旨在承受daa调制解调器正极和负极电话线接口和一般离线整流应用中最坏的线瞬变情况。mmbd5004brm二极管阵列结合了更快的开关速度（trr=50ns）和低结电容（在vr=0v和f=1.0mhz时典型值为0.7pf），使其成为保持高速信号完整性的理想选择。

Diode公司推出击穿电压为400V的四开关二极管阵列MMBD5004BRM，旨在承受DAA调制解调器正极和负极电话线接口和一般离线整流应用中最坏的线瞬变情况。MMBD5004BRM二极管阵列结合了更快的开关速度（trr=50ns）和低结电容（在VR=0V和f=1.0MHz时典型值为0.7pF），使其成为保持高速信号完整性的理想选择。与现有的微型桥解决方案相比，MMBD5004BRM采用更小的

　　Diode公司推出击穿电压为400V的四开关二极管阵列MMBD5004BRM，旨在承受DAA调制解调器正极和负极电话线接口和一般离线整流应用中最坏的线瞬变情况。　　MMBD5004BRM二极管阵列结合了更快的开关速度（trr=50ns）和低结电容（在VR=0V和f=1.0MHz时典型值为0.7pF），使其成为保持高速信号完整性的理想选择。

Diodes公司发布能够容忍电话线瞬变的高压二极管阵列Diode公司推出击穿电压为400V的四开关二极管阵列MMBD5004BRM，旨在承受DAA调制解调器正极和负极电话线接口和一般离线整流应用中最坏的线瞬变情况MMBD5004BRM二极管阵列结合了更快的开关速度（trr=50ns）和低结电容（在VR=0V和f=1.0MHz时典型值为0.7pF），使其成为保持高速信号完整性的理想选择。