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E-pHEMT GPA/LNA, 500-2800 MHz, 15.9 dB, 24 dBm。
SIL3，塑料，dili - bend - sil封装;3终端;1.5毫米球场;4.15毫米× 5.5毫米× 1.5毫米机身。
10日宣布推出4款基于InGaP异质结双极晶体管（HBTs）和GaAs异质结场效应晶体管（HFETs）的单片微波集成电路（MMIC），分别是MML09211H低噪声放大器、MMA20312B功率放大器、MMG15241H
