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E-pHEMT GPA/LNA, 1500-2700 MHz, 16 dB, 27.5 dBm。
HVQFN12，塑料，热增强非常薄的四边形平板封装;没有领导;12终端;0.5毫米球场;3mm × 3mm × 0.85 mm机身。
InGaP异质结双极晶体管（HBTs）和GaAs异质结场效应晶体管（HFETs）的单片微波集成电路（MMIC），分别是MML09211H低噪声放大器、MMA20312B功率放大器、MMG15241H和MMG20271H
