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E-pHEMT LNA, 400-1400 MHz, 21.3 dB, 22 dBm, 0.52 NF。
HVSON8，塑料，热增强非常薄的小轮廓;没有领导;8终端;0.5毫米球场;2 mm × 2 mm × 0.85 mm机身。
飞思卡尔5月10日宣布推出4款基于InGaP异质结双极晶体管（HBTs）和GaAs异质结场效应晶体管（HFETs）的单片微波集成电路（MMIC），分别是MML09211H低噪声放大器、MMA20312BMML09211H的增强型pHEMT低噪声放大
