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脉冲横向n通道射频功率MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V。
PLD4L，塑料，射频模压包装设计;4终端;5.85 mm × 6.61 mm × 1.74 mm机身。
RF产品线包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驱动。
RF产品线包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驱动。
RF产品线包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驱动。
