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脉冲横向n通道射频功率MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V。
CFM2F，陶瓷，法兰安装平封装;2终端;9.78毫米× 34.04毫米× 3.75毫米机身。
RF产品线包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驱动。当频率在1200－1400MHz之间时，MRF6V14300H生成330W的RF脉冲输出功率；与竞争性双极场效晶体管（FET）器件相比，它重新设立了该功率和频率级的新的效率、增益和热阻标准。
RF产品线包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驱动。当频率在1200 － 1400 MHz之间时， MRF6V14300H生成330 W的RF脉冲输出功率；与竞争性双极场效晶体管（FET）器件相比，它重新设立了该功率和频率级的新的效率、增益和热阻标准。
RF产品线包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驱动。当频率在1200－1400MHz之间时，MRF6V14300H生成330W的RF脉冲输出功率；与竞争性双极场效晶体管（FET）器件相比，它重新设立了该功率和频率级的新的效率、增益和热阻标准。
