0
横向n通道宽带射频功率MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V。
CFM4F，陶瓷，法兰安装平封装;4终端;13.72毫米节距，10.16毫米× 41.15毫米× 4.575毫米体。
飞思卡尔MRFE6VP5600H/S和MRFE6VP61K25H/S50VLDMOS功率晶体管提供增强的耐用性，以便在恶劣环境下支持匹配度极低的应用，如等离子发生器、二氧化碳激光器和MRI功率放大器。
飞思卡尔MRFE6VP5600H/S和MRFE6VP61K25H/S50VLDMOS功率晶体管提供增强的耐用性，以便在恶劣环境下支持匹配度极低的应用，如等离子发生器、二氧化碳激光器和MRI功率放大器。
