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横向n通道宽带射频功率MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V。
CFM4F，陶瓷，法兰安装平封装;4终端;9.78毫米× 34.04毫米× 3.75毫米机身。
MRFE6VP6300H的产品特性： 工作频率1.8至600MHz 包含创新的静电放电（ESD）保护技术MRFE6VP6300H的应用范围： 可用于推拉式或单端配置飞思卡尔半导体推出一款
飞思卡尔半导体日前推出一款RFLDMOS功率管，工作频率为1.8至600MHz，最适于在CO2激光器、等离子体发生器和磁共振成像（MRI）扫描仪等应用中所遇到的具有潜在破坏性的阻抗失配条件下使用。新MRFE6VP6300HFET是世界首款50VLDMOS晶体管，在电压驻波比（VSWR）为65:1的负载中提供300WCW的全额定输出功率。当射频功率管生成的最大功率到达天线时，所有固态射频功率放大器的运行最有效。在理想条件下，这会产生1:1的VSWR，生成的全部额定
产品特性： 该MRFE6VP6300H还包含创新的静电放电（ESD）保护技术 在电压驻波比为65:1的负载中提供300 WCW的全额定输出功率应用范围： CO2激光器、等离子体发生器和磁共振成像
飞思卡尔半导体推出一款RFLDMOS功率管，工作频率为1.8至600MHz，最适于在CO2激光器、等离子体发生器和磁共振成像（MRI）扫描仪等应用中所遇到的具有潜在破坏性的阻抗失配条件下使用。新MRFE6VP6300HFET是世界首款50VLDMOS晶体管，在电压驻波比（VSWR）为65：1的负载中提供300WCW的全额定输出功率。当射频功率管生成的最大功率到达天线时，所有固态射频功率放大器的运行最有效。在理想条件下，这会产生1：1的VSWR，生成的全部额定功
新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS晶体管，在电压驻波比（VSWR）为65:1的负载中提供 300 W CW的全额定输出功率。
新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS晶体管，在电压驻波比（VSWR）为65:1的负载中提供 300 W CW的全额定输出功率。当射频功率管生成的最大功率到达天线时，所有固态
新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS晶体管，在电压驻波比（VSWR）为65:1的负载中提供300 W CW的全额定输出功率。
新mrfe6vp6300h fet是世界首款50v ldmos晶体管，在电压驻波比（vswr）为65:1的负载中提供 ;300 w cw的全额定输出功率。当射频功率管生成的最大功率到达天线时，所有固
