恩智浦发布业界最低RDSon的30VMOSFET-PSMN1R0-30YLC中国上海，2010年12月6日讯--恩智浦半导体NXPSemiconductorsN.V.全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，专门针对4.5V开关应用优化，采用LFPAK封装技术，是目前业界最牢固的Power-SO8封装。

全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，专门针对4.5V开关应用优化，采用LFPAK封装技术，是目前业界最牢固的Power-SO8封装。NextPower技术已

全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，专门针对4.5V开关应用优化，采用LFPAK封装技术，是目前业界最牢固的

全新的mosfet器件psmn1r0-30ylc，专门针对4.5v开关应用优化，采用lfpak封装技术，是目前业界最牢固的power-so8封装。nextpower技术已专门针对高

全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，专门针对4.5V开关应用优化，采用LFPAK封装技术，是目前业界最牢固的Power-SO8封装。

全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，专门针对4.5V开关应用优化，采用LFPAK封装技术，是目前业界最牢固的Power-SO8封装。