华强商城 被动器件(电容/电阻/电感) BOM配单 原厂专区 PCB制板 积分兑换
0
首页>IC索引

RCW-0C

CGS RC,探针垫,包装尺寸编码1206,3.2 x 1.6 x 2毫米

RCW-0C产品信息:

  • 封装尺寸代码:1206
  • 无源元件尺寸(毫米):3.2 x 1.6 x 2
  • RCW-0C数据手册:

    RCW-0C引脚功能、电路图:

    PIC16C711电压检测

    ;定义用户寄存器 WEI1 EQU H’0C’ ;BIT0=MODS:选择模式位 0:模式1 1:模式2&nbs

    PowerSilicon 精彩亮相中国电子展

    行业事件 PowerSilicon 参加第72届中国电子展行业影响 PowerSilicon展示了肖特基二极管、MOSFET等产品 style="margin: 0cm 0c

    0C 贴片(MM5Z5V6T1G)中文资料_参数_替代_应用-二极管

    【用 途】 稳压二极管【性能 参数】稳定电压5.6V 电流5mA 功率150mW【互换 兼容】MM5Z5V6T1G【0C 贴片(MM5Z5V6T1G)的原厂(中文)资料 数据手册 脚功能参数 封装】

    MM5Z5V6T1G中文资料_参数_替代_应用-二极管

    【用 途】 稳压二极管【性能 参数】稳定电压5.6V 电流5mA 功率150mW【互换 兼容】0C 贴片【MM5Z5V6T1G的原厂(中文)资料 数据手册 脚功能参数 封装】

    PIC16C711 直流电压表汇编程序

    定义用户寄存器 WEI1EQUH’0C’;BIT0=MODS:选择模式位0:模式11:模式2 ;BIT1=BREK:断路判别位0:无断路1:有断路 ;BIT2= ;BIT3= ;BIT4= ;BIT5=

    MM3Z5V6T1G的技术参数

    齐纳击穿电压vz最小值(v):5.200齐纳击穿电压vz典型值(v):5.600齐纳击穿电压vz最大值(v):6@izt(ma):5齐纳阻抗zzt(ω):40最大功率pmax(w):0.200芯片标识:0c

    MM3Z5V6ST1G的技术参数

    齐纳击穿电压vz最小值(v):5.200齐纳击穿电压vz典型值(v):5.600齐纳击穿电压vz最大值(v):6@izt(ma):5齐纳阻抗zzt(ω):40最大功率pmax(w):0.200芯片标识:0c

    MM3Z5V6T1G货源 PDF 芯片资料 报价 | MM3Z5V6T1G的技术

    齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.200齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):6@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):40最大功率PMax(W):0.200芯片标识:0C

    SPI简介

    spi(system packet interface,系统包接口)用于物理层和链路层的链接,广泛地应用在通信接口中,主要应用于oc-48、oc-192和0c-768的同类业务,以及10gb/s以太网,

    海信DP2999系列彩电存储器的更换

    DP2999系列可以换空存储块,但要更改几个数据,如下: 037项 00(ROM校正)203项 04(3215解码板) 0C(3230解码板) 1C(DP3499机型,因为带YUV输入)20E项 0E(

    相关型号:

    RFXF0010 RFXF0009H RFXF0008H RFXF0007 RFXF0006H
    RFSW8009 RFSW8007Q RFSW8006Q RFSW8001 RFSW8000
    RF1694B RF1657 RF1628A RF1628 RF1613
    RFSW6222 RFSW6062 RFSW6042 RFSW6024 RFSW6023
    按首字母检索