描述

这种碳化硅功率MOSFET是利用宽带隙材料的先进、创新性能生产的。这导致了无与伦比的单位面积通电阻和非常好的开关性能，几乎独立于温度。SiC材料的外部热性能，结合专利的HiP247 封装中的设备外壳，允许设计师使用行业标准的外形，显著提高热性能。这些特点使器件非常适合于高效率和高功率密度的应用。