描述

这种碳化硅功率MOSFET是利用宽带隙材料的先进、创新性能生产的。这导致了无与伦比的单位面积通电阻和非常好的开关性能，几乎独立于温度。碳化硅材料的突出热性能允许设计师使用工业标准的轮廓与显著提高的热能力。这些特点使器件非常适合于高效率和高功率密度的应用。