描述

这种碳化硅功率MOSFET是利用宽带隙材料的先进、创新性能生产的。这导致了无与伦比的单位面积通电阻和非常好的开关性能，几乎独立于温度。SiC材料的突出热性能，加上专有的HiP247封装的器件外壳，使得设计师可以使用行业标准外形，显著提高热性能。这些特点使器件非常适合于高效率和高功率密度的应用。