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SCTH100N65G2-7AG
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汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V、95 A、20 mOhm（典型值，TJ = 25 C），H2PAK-7封装
SCTH100N65G2-7AG产品信息：
描述
这种碳化硅功率MOSFET器件是利用先进的和创新的2 (nd)产生SiC MOSFET技术。该器件具有极低的单位面积导通电阻和良好的开关性能。
所有功能
AEC-Q101合格
非常fa和robu本征体二极管
低电容
SCTH100N65G2-7AG数据手册：
scth100n65g2-7ag.pdf
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