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SCTH40N120G2V-7

碳化硅功率MOSFET 1200 V, 70 mOhm类型。, 36a, H2PAK-7包装

SCTH40N120G2V-7产品信息:

描述

这种碳化硅功率MOSFET器件是利用先进的和创新的2 (nd)产生SiC MOSFET技术。该器件具有极低的单位面积导通电阻和良好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
  • 所有功能

    • 非常高的工作结温度能力(T(J) = 175°C)
    • 非常fa和robu本征体二极管
    • 极低的栅电荷和输入电容
    • 源开尔文销提高效率

SCTH40N120G2V-7数据手册:

FU-7

【用 途】 旁热式阴极束射四极管/高低频电压放大、倍频、振荡和阳极调幅【性能 参数】灯丝电压(Uf≈)=6.3V;灯丝电流(If)=0.9±0.09A;阳极电压(Ua)=600V;第一栅极电压(Ug1)-29;第二栅极电压(Ug2)=300V;阳极电流(Ia)=36±12mA;跨导①(S)=6±1mA/V;输出功率②(Po)(f=1

AC142K-7

【用 途】 音频输出管 【性能 参数】锗 PNP 32V 1.2A 0.26W 【互换 兼容】AC153 3AK32

BSV11-7

【用 途】 音频输出/放大管 【性能 参数】硅 PNP 60V 1A 50MHz 【互换 兼容】BC160

2SA1839-7

【用 途】 UHF或微波频段放大 【性能 参数】硅 PNP 0.1A 0.25W β>300 【互换 兼容】

SQL18-7

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 700V 100A Vf=1.2V Lfsm=600A 【互换 兼容】

MMJ-7

【用 途】 计数译码器 【性能 参数】二进制计数-寄存-译码电路10组合门,金属-氧化物-半导体型P沟道MOS,电源电压=0(12)~-24(10)V。

SD1347-7

【用 途】 普通用途 【性能 参数】硅 NPN 20V 1W 175MHz 10dB 【互换 兼容】2N4427

SD1080-7

【用 途】 高频放大管 【性能 参数】硅 NPN 20V 500mW 470MHz 10dB 【互换 兼容】MRF627

BDX13-7

【用 途】 音频输出/放大管 【性能 参数】硅 NPN 140V 5A 117W 【互换 兼容】BD130 3DD72B

BD139-7

【用 途】 音频功率放大 【性能 参数】硅 NPN 80V 1.5A 12.5W *K 【互换 兼容】BD169 BD179 BD230 BD237 BD441 3DA1C

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